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DMP2022LSS-13  与  BSO203SP H  区别

型号 DMP2022LSS-13 BSO203SP H
唯样编号 A3-DMP2022LSS-13 A-BSO203SP H
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 20V 10A 13 mO P-ch SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.1mm 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V 15mΩ
上升时间 9.9ns 55ns
Qg-栅极电荷 56.9nC -39nC
栅极电压Vgs ±12V 12V
正向跨导 - 最小值 28S 18S
封装/外壳 SOP-8 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 10A 8.9A
配置 SingleQuadDrainTripleSource Single
长度 5.3mm 4.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V -
下降时间 76.5ns 74ns
高度 1.50mm 1.75mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W 2.5W
典型关闭延迟时间 108ns 45ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 DMP2022 OptiMOSP
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2444pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.9nC @ 10V -
典型接通延迟时间 7.5ns 16ns
库存与单价
库存 5,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMP2022LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP-8 5.3mm

暂无价格 5,000 当前型号
BSO203SPHXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO203SP H_8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比
BSO203SP H Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO203SPHXUMA1_4.9mm

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IRF7424PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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IRF7410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

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IRF7424TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

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